Categorii
Tranzistor P-MOSFET -50V 32A 83W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -50V 32A 83W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -50V 32A 83W TO263

IXTA32P05T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263
33,02 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -50V -32A 83W TO263 este un produs de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor de putere impresionează cu caracteristicile sale remarcabile, cum ar fi carcasa TO263, care asigură o montare ușoară și rapidă de tip SMD. Cu o putere disipată de 83W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară, curentul de drenare de -32A și tensiunea de drenare-sursă de -50V îl fac potrivit pentru sarcini de putere medie și mare. Rezistența în timpul funcționării de 39mΩ și subtipul de canal îmbogățit îi conferă o durabilitate și o fiabilitate remarcabile. Cu o încărcătură de poartă de 46nC și un timp de restabilire de doar 26ns, acest tranzistor se remarcă prin performanța sa rapidă și eficientă. Tehnologia TrenchP™ asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de mediu. IXYS a creat un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale industriei electronice.
Detalii ale produsului
314 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTA32P05T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 83W
Montare SMD
Carcasă TO263
Polarizare unipolar
Curent drenă -32A
Tensiune drenă-sursă -50V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 39mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 46nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 26ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: