P-MOSFET TrenchFET Unipolar -60V 110A

Tranzistorul P-MOSFET TrenchFET® unipolar -60V -110A Idm: -200A de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Acesta este disponibil sub forma unui tranzistor de tip P-MOSFET, cu tehnologia inovatoare TrenchFET® care asigură performanțe excelente.

Caracteristicile cheie ale acestui tranzistor includ o putere disipată de 272W, un curent de drenă în impuls de până la -200A și o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ. Cu o tensiune drenă-sursă de -60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă fiabilitate și eficiență în funcționare.

Tranzistorul are un curent de drenă nominal de -110A și poate suporta o încărcătură poartă de până la 240nC. Cu un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate.

Cu montare SMD și carcasă TO263, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul P-MOSFET TrenchFET® de la VISHAY este alegerea perfectă pentru performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.