Categorii
Tranzistor P-MOSFET -60V 110A 375W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -60V 110A 375W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -60V 110A 375W

SUM110P06-07L-E3
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
33,96 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -60V -110A Idm: -240A 375W de la VISHAY este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor de putere dispune de o carcasă D2PAK sau TO263, fiind ideal pentru montare SMD. Cu o putere disipată de 375W și un curent de drenă de până la -110A, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de mare intensitate.

Caracteristicile cheie ale acestui tranzistor includ o rezistență în timpul funcționării de 13,8mΩ, un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară. Tensiunea drenă-sursă este de -60V, în timp ce tensiunea poartă-sursă poate ajunge până la ±20V. Tranzistorul are o încărcătură de poartă de 345nC și poate fi utilizat într-o varietate de aplicații.

Cu o construcție durabilă și performanțe excelente, tranzistorul P-MOSFET de la VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice. Fiind un produs de înaltă calitate, acest tranzistor va asigura o funcționare fiabilă și eficientă a dispozitivelor dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
429 Produse

Fisa tehnica

Referință SUM110P06-07L-E3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 375W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
TO263
Curent de drenă în impuls -240A
Polarizare unipolar
Curent drenă -110A
Tensiune drenă-sursă -60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 13,8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 345nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
24 produse asociate: