Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Polar3™ unipolar de la IXYS este o alegere excelentă pentru cei care caută performanțe superioare în electronica de putere. Acest dispozitiv de comutare de înaltă calitate are o tensiune drenă-sursă impresionantă de 2,5kV și un curent drenă de 0,33A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere. Cu o putere disipată de 104W și o rezistență în timpul funcționării de 110Ω, acest tranzistor poate gestiona sarcini grele fără probleme.
Cu caracteristicile sale semiconductoare de înaltă calitate și tehnologia inovatoare Polar3™, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și durabile. Montat într-un ambalaj tub TO247HV, acesta este ușor de instalat și poate fi utilizat într-o varietate de aplicații. Subtipul său de canal îmbogățit asigură o funcționare eficientă și o încărcătură a porții de 10,5nC.
Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor. De asemenea, timpul său de restabilire rapid de 1,2µs îl face potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET Polar3™ unipolar de la IXYS este alegerea perfectă pentru cei care caută calitate, fiabilitate și performanțe superioare în electronica de putere.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTH05N250P3HV |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
104W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247HV |
Caracteristici elemente semiconductoare |
standard power mosfet |
Curent de drenă în impuls |
1A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
0,33A |
Tensiune drenă-sursă |
2,5kV |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
110Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
10,5nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
1,2µs |
Tehnologie |
Polar3™ |
Fisiere asociate
Descarcari