Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
  • Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
  • Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STW56N65DM2 650V 30A 360W TO247

STW56N65DM2
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
84,14 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STW56N65DM2 650V 30A 360W TO247 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată MDmesh™ DM2, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 58mΩ și o disipare a puterii de până la 360W.

Caracteristici principale:



  • Producător: STMicroelectronics

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 360W

  • Montare: THT (Through-Hole Technology)

  • Carcasă: TO247

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 30A

  • Tensiune drenă-sursă: 650V

  • Tensiune poartă-sursă: ±25V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 58mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: MDmesh™ DM2



Acest tranzistor este potrivit pentru utilizare în circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații industriale ce necesită fiabilitate și performanță superioară.

Detalii ale produsului
26 Produse

Fisa tehnica

Referință STW56N65DM2
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 360W
Montare THT
Carcasă TO247
Polarizare unipolar
Curent drenă 30A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 58mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ DM2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: