Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 47A 417W TO247 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un component electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o putere disipată impresionantă de 417W și o polarizare unipolară, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi o funcționare fiabilă și eficientă.
Cu o curent drenă de 47A și o tensiune drenă-sursă de 600V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative, fără a compromite performanța. Tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o control precis al semnalului, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 70mΩ minimizează pierderile de putere.
Tranzistorul N-MOSFET de la MICROCHIP (MICROSEMI) vine împachetat într-un tub TO247 și este ideal pentru montare pe plăci de circuit imprimate. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 260nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicațiile tale electronice.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 47A 417W TO247 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este alegerea perfectă pentru proiectele tale care necesită o comutare puternică și eficientă. Acest tranzistor este fiabil, durabil și capabil să satisfacă cerințele tale de proiectare electronică.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
APT47N60BC3G |
Producător |
MICROCHIP (MICROSEMI) |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
417W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
47A |
Tensiune drenă-sursă |
600V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
70mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
260nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari