Categorii
N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 500V 37.8A 560W MAX247

STY60NM50
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37,8A; 560W; MAX247
160,70 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

50.28 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 37,8A 560W MAX247, STY60NM50 de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează cu caracteristici remarcabile, precum tehnologia MDmesh™ care asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Cu o putere disipată de 560W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de mare putere, fiind ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. De asemenea, caracteristica de polarizare unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 50mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență ridicată și o performanță excelentă în condiții de funcționare extreme. Subtipul canalului îmbogățit și tipul N-MOSFET îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o conducere eficientă a curentului.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 37,8A 560W MAX247, STY60NM50 de la STMicroelectronics este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită un dispozitiv puternic, fiabil și eficient din punct de vedere energetic. Optați pentru calitate și performanță cu acest tranzistor de înaltă performanță!
Detalii ale produsului
23 Produse

Fisa tehnica

Referință STY60NM50
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 560W
Montare THT
Carcasă MAX247
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 37,8A
37.8A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 50mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: