Tranzistor N-MOSFET WMOS™ SR 650V 60A WAYON

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ SR 650V 60A WAYON reprezintă soluția ideală pentru aplicații care necesită performanțe de înaltă eficiență și fiabilitate. Fabricat de WAYON, acest tranzistor oferă o montare THT, fiind disponibil în carcasa TO247-3, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse circuite electronice. Cu o putere disipată de 460W și un curent de drenă de 60A, acest dispozitiv se dovedește a fi extrem de robust, fiind capabil să suporte un curent de drenă în impuls de până la 350A.

Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de 650V îl recomandă pentru utilizări în medii cu cerințe stricte de tensiune. Tensiunea poartă-sursă de ±30V, împreună cu o rezistență în timpul funcționării de 33mΩ, asigură o eficiență energetică ridicată. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 183nC contribuie la performanțe superioare în comutare.

Tehnologia WMOS™ SR garantează o stabilitate și o durabilitate de lungă durată, ceea ce face ca acest tranzistor să fie alegerea preferată pentru inginerii care caută soluții fiabile și performante în proiectele lor electronice. Investiția în Tranzistorul N-MOSFET WMOS™ SR 650V 60A WAYON este o alegere inteligentă pentru maximizarea eficienței sistemelor electrice.