Categorii
Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 79W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 79W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 79W

P7F60HP2-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 79W
7,45 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 7A Idm: 28A 79W de la producătorul SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este disponibil în ambalaj vrac și se montează cu tehnologia THT. Carcasa FTO-220AG (SC91) oferă o putere disipată de 79W, iar curentul de drenă în impuls este de 28A.

Cu o polarizare unipolară, tranzistorul are un curent de drenă de 7A și o tensiune drenă-sursă de 600V. Tensiunea poartă-sursă este de ±30V, iar rezistența în timpul funcționării este de 1,05Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 19nC.

Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor utilizează tehnologia Hi-PotMOS2, oferind performanțe excelente și fiabilitate în aplicațiile dumneavoastră. Alegeți calitatea și eficiența cu Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN.
Detalii ale produsului
426 Produse

Fisa tehnica

Referință P7F60HP2-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 79W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 28A
Polarizare unipolar
Curent drenă 7A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,05Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 19nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: