Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,9A 24W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 24W și este echipat cu un element semiconductor ESD protejat, asigurând o funcționare fiabilă și durabilă. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 800V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 2Ω și o încărcătură de poartă de 9nC.
Datorită tehnologiei avansate CoolMOS™ P7, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o performanță superioară și o eficiență energetică ridicată. Cu un curent de drenare de 1,9A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest dispozitiv este perfect pentru montajul prin găuri tehnologice (THT) în carcasă IPAK.
Indiferent de aplicația dvs., Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,9A 24W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate, eficiență și performanță de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IPU80R2K0P7 |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
24W |
Montare |
THT |
Carcasă |
IPAK |
Caracteristici elemente semiconductoare |
ESD protected gate |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
1,9A |
Tensiune drenă-sursă |
800V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
2Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
9nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
CoolMOS™ P7 |
Fisiere asociate
Descarcari