Categorii
N-MOSFET Unipolar 40V 123A 99W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 40V 123A 99W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 40V 123A 99W TO220AB

IRFB7446PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
13,83 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 123A 99W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicații electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată impresionantă de 99W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.

Denumirea comercială a acestui tranzistor este StrongIRFET, iar este polarizat unipolar. Cu un curent de drenaj de 123A și o tensiune drenaj-sursă de 40V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative cu ușurință. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența de funcționare de 3,3mΩ sunt caracteristici care contribuie la eficiența și fiabilitatea acestui dispozitiv.

Tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 123A 99W TO220AB are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 62nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță. Cu tehnologia HEXFET®, acest tranzistor oferă o combinație optimă de performanță și fiabilitate, fiind alegerea perfectă pentru proiectele electronice exigente.
Detalii ale produsului
175 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB7446PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 99W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Denumire comercială StrongIRFET
Polarizare unipolar
Curent drenă 123A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 62nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: