Categorii
Tranzistor N-MOSFET 600V 8.2A MDmesh M6 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 8.2A MDmesh M6 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 8.2A MDmesh M6

STF18N60M6
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8,2A; Idm: 38A
22,16 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ M6 unipolar 600V 8,2A Idm: 38A, fabricat de STMicroelectronics, este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un ambalaj tub cu montare THT și carcasă TO220FP, având o putere disipată de 25W. Cu un curent de drenă în impuls de 38A și un curent drenă de 8,2A, acest tranzistor poate face față sarcinilor exigente.

Având o polarizare unipolară, acest tranzistor beneficiază de o tensiune drenă-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±25V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,28Ω, acesta este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 16,8nC. Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat utilizând tehnologia MDmesh™ M6, ceea ce îl face fiabil și performant în diverse aplicații electronice. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ M6 pentru performanță și fiabilitate în proiectele dumneavoastră.
Detalii ale produsului
10 Produse

Fisa tehnica

Referință STF18N60M6
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 25W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Curent de drenă în impuls 38A
Polarizare unipolar
Curent drenă 8,2A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,28Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 16,8nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ M6
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: