Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 120A 150W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 150W, polarizare unipolară și un curent de drenare de 120A. Cu o tensiune drenă-sursă de 30V și o tensiune poartă-sursă de ±16V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de funcționare variate.
Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o rezistență în timpul funcționării de 6mΩ, un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 93,3nC. Cu un subtip de ambalaj în tub și o montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite dispozitive electronice. Tehnologia HEXFET® asigură o performanță fiabilă și eficientă energetic.
Fie că este utilizat în aplicații de comutație sau amplificare, tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice. Cu o gamă variată de caracteristici și o construcție durabilă, acest tranzistor va satisface cerințele dvs. de performanță și fiabilitate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRL3803PBF |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
150W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Caracteristici elemente semiconductoare |
logic level |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
120A |
Tensiune drenă-sursă |
30V |
Tensiune poartă-sursă |
±16V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
6mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
93,3nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
HEXFET® |
Fisiere asociate
Descarcari