Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 600V 9.5A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 9.5A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 9.5A

STF22N60M6
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9,5A; Idm: 42A
24,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ M6 unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicațiile electronice. Cu o putere disipată de 30W și un curent de drenă în impuls de 42A, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Carcasa TO220FP și subtipul de ambalaj în tub asigură o montare ușoară și sigură.

Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor oferă fiabilitate și eficiență energetică. Rezistența în timpul funcționării de 0,23Ω asigură o conducere optimă a curentului, iar subtipul de canal îmbogățit și tipul N-MOSFET îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații.

Tehnologia inovatoare MDmesh™ M6 garantează performanțe superioare și durabilitate pe termen lung. Cu o încărcătură de poartă de 20nC și o polarizare unipolară, acest tranzistor este alegerea ideală pentru proiectele electronice exigente. Cu Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ M6, veți obține rezultate remarcabile în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
91 Produse

Fisa tehnica

Referință STF22N60M6
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 30W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Curent de drenă în impuls 42A
Polarizare unipolar
Curent drenă 9,5A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,23Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 20nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ M6
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (448.8KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: