Categorii
Tranzistor N-MOSFET 75V 80A 150W PG-TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 75V 80A 150W PG-TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 75V 80A 150W PG-TO220-3

IPP052NE7N3GXKSA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
24,24 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 80A 150W PG-TO220-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o rezistență redusă în timpul funcționării. Acest tranzistor este echipat cu tehnologia OptiMOS™ 3, asigurând performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.

Cu o putere disipată de 150W și o tensiune drenă-sursă de 75V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 80A, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale. Carcasa PG-TO220-3 permite o montare ușoară și sigură, iar subtipul ambalajului sub formă de tub oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 5,2mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență ridicată și o disipare minimă a căldurii. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și fiabilitate pe termen lung.

Subtipul canalului îmbogățit și tipul tranzistorului N-MOSFET fac din acest produs o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o performanță superioară și o durată lungă de viață. Cu tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 80A 150W PG-TO220-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES, veți obține performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
63 Produse

Fisa tehnica

Referință IPP052NE7N3GXKSA1
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare THT
Carcasă PG-TO220-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 80A
Tensiune drenă-sursă 75V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,2mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie OptiMOS™ 3
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: