Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 370W TO220AB

IRLB4030PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
29,45 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar cu o tensiune de 100V, curent de 180A și putere de 370W TO220AB oferă performanțe de vârf pentru aplicațiile tale electronice. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor beneficiază de un subtip de ambalaj tub, montare prin găuri tehnologie TO220AB, ceea ce îl face ușor de integrat în proiectele tale. Cu caracteristici semiconductoare de nivel logic, acest tranzistor se remarcă prin polarizarea unipolară, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. Cu o rezistență de doar 4,3mΩ în timpul funcționării, acest tranzistor oferă o performanță superioară. Subtipul canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 87nC asigură o funcționare optimă în aplicațiile tale. Cu o tensiune de poartă-sursă de ±16V și tehnologie HEXFET®, acest tranzistor N-MOSFET este alegerea ideală pentru proiectele tale de electronică.
Detalii ale produsului
159 Produse

Fisa tehnica

Referință IRLB4030PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 370W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Polarizare unipolar
Curent drenă 180A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±16V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 87nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: