Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 150V 120A 600W TO3P de la IXYS este un dispozitiv de ultimă generație, conceput pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este echipat cu caracteristici impresionante, cum ar fi o putere disipată de 600W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere mare. Polarizarea unipolară îl face ușor de integrat în diferite circuite, iar curentul de drenă de 120A și tensiunea drenă-sursă de 150V îl fac ideal pentru aplicații care necesită o putere mare.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență ridicată a circuitului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura la poartă de 150nC îl face potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și timpul de restabilire de 150ns îl fac ideal pentru aplicații sensibile la viteză. Tehnologia PolarHT™ asigură o dispersie termică eficientă, ceea ce contribuie la fiabilitatea și durabilitatea acestui tranzistor.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 150V 120A 600W TO3P de la IXYS este alegerea perfectă pentru cei care caută performanțe ridicate și fiabilitate în aplicațiile lor electronice. Fiind echipat cu caracteristici avansate și tehnologie de vârf, acest tranzistor va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente aplicații.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTQ120N15P |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
600W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO3P |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
120A |
Tensiune drenă-sursă |
150V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
16mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
150nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
150ns |
Tehnologie |
PolarHT™ |
Fisiere asociate
Descarcari