Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET PolarHT™ 150V 120A 600W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET PolarHT™ 150V 120A 600W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET PolarHT™ 150V 120A 600W TO3P

IXTQ120N15P
Tranzistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 150V 120A 600W TO3P de la IXYS este un dispozitiv de ultimă generație, conceput pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este echipat cu caracteristici impresionante, cum ar fi o putere disipată de 600W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere mare. Polarizarea unipolară îl face ușor de integrat în diferite circuite, iar curentul de drenă de 120A și tensiunea drenă-sursă de 150V îl fac ideal pentru aplicații care necesită o putere mare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 16mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență ridicată a circuitului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura la poartă de 150nC îl face potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și timpul de restabilire de 150ns îl fac ideal pentru aplicații sensibile la viteză. Tehnologia PolarHT™ asigură o dispersie termică eficientă, ceea ce contribuie la fiabilitatea și durabilitatea acestui tranzistor.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 150V 120A 600W TO3P de la IXYS este alegerea perfectă pentru cei care caută performanțe ridicate și fiabilitate în aplicațiile lor electronice. Fiind echipat cu caracteristici avansate și tehnologie de vârf, acest tranzistor va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente aplicații.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXTQ120N15P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 600W
Montare THT
Carcasă TO3P
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 150V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 16mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 150nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 150ns
Tehnologie PolarHT™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: