Categorii
N-MOSFET Polar3™ 500V 63A 520W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar3™ 500V 63A 520W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar3™ 500V 63A 520W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Polar3™ 500V 63A 520W Tranzistor

MMIX1F132N50P3
Tranzistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
325,99 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

91.69 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar3™ unipolar 500V 63A Idm: 330A 520W, MMIX1F132N50P3 este un produs de încredere, cu caracteristici remarcabile. Acesta este montat în tehnologia Polar3™ și are o putere disipată de 520W, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de înaltă performanță. Cu un curent de drenă în impuls de 330A și o polarizare unipolară, acest tranzistor este potrivit pentru sarcini exigente. Cu o tensiune drenă-sursă de 500V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acesta oferă o funcționare fiabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării de 43mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, iar subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 267nC îl fac potrivit pentru diverse aplicații. Acest tranzistor N-MOSFET este un produs de calitate superioară, cu un timp de restabilire rapid de 250ns, ceea ce îl face alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință MMIX1F132N50P3
Producător IXYS
Putere disipată 520W
Montare SMD
Carcasă SMPD
Curent de drenă în impuls 330A
Polarizare unipolar
Curent drenă 63A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 43mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 267nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 250ns
Tehnologie HiPerFET™
Polar3™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: