Categorii
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 47A UJ3C065030B3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 47A UJ3C065030B3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 47A UJ3C065030B3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 47A UJ3C065030B3

UJ3C065030B3
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 47A
206,76 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

61.82 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UJ3C065030B3 este un produs de înaltă calitate fabricat de UnitedSiC, cu o montare SMD convenabilă. Carcasa D2PAK asigură o protecție excelentă împotriva factorilor externi. Tehnologia avansată SiC oferă o performanță superioară și o durabilitate extinsă. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), asigurând o funcționare fiabilă.

Cu o putere disipată de 250W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință aplicații de putere medie și mare. Cu un curent de drenaj în impuls de 230A, acesta poate face față sarcinilor intense. Polarizarea unipolară a tranzistorului asigură o conducere eficientă și o protecție îmbunătățită împotriva scurtcircuitelor.

Cu un curent de drenaj de 47A și o tensiune drenaj-sursă de 650V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea poartă-sursă de ±25V și rezistența de funcționare de 27mΩ asigură o funcționare stabilă și eficientă în diferite condiții de lucru.

Cu o încărcătură poartă de 51nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă a semnalului. Tipul N-JFET/N-MOSFET și subtipul în cascadă îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, de la electronice de consum la echipamente industriale. Alege tranzistorul UJ3C065030B3 pentru performanțe de top și durabilitate de lungă durată.
Detalii ale produsului
15 Produse

Fisa tehnica

Referință UJ3C065030B3
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 250W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 230A
Polarizare unipolar
Curent drenă 47A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 27mΩ
Încărcătură poartă 51nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: