Categorii
N-MOSFET Tranzistor 200V 11A 125W D2PAK TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 11A 125W D2PAK TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 200V 11A 125W D2PAK TO263

IRL640SPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263
19,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este proiectat pentru a oferi performanțe de înaltă calitate în aplicațiile electronice. Cu o tensiune drenă-sursă de 200V și o putere disipată de 125W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o putere mare. Montarea SMD face ca acest tranzistor să fie ușor de integrat într-o varietate de designuri de circuite. Carcasa D2PAK și TO263 oferă o protecție eficientă împotriva temperaturilor ridicate și a deteriorării mecanice. Caracteristicile elementelor semiconductoare de nivel logic și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile digitale. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,18Ω, acest tranzistor oferă o eficiență ridicată în utilizare. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura la poartă de 66nC asigură o performanță optimă în aplicații variate. Cu un curent de drenaj de 11A și o tensiune poartă-sursă de ±10V, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și eficientă. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații.
Detalii ale produsului
74 Produse

Fisa tehnica

Referință IRL640SPBF
Producător VISHAY
Putere disipată 125W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
TO263
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Polarizare unipolar
Curent drenă 11A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±10V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,18Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 66nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: