Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este proiectat pentru a oferi performanțe de înaltă calitate în aplicațiile electronice. Cu o tensiune drenă-sursă de 200V și o putere disipată de 125W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o putere mare. Montarea SMD face ca acest tranzistor să fie ușor de integrat într-o varietate de designuri de circuite. Carcasa D2PAK și TO263 oferă o protecție eficientă împotriva temperaturilor ridicate și a deteriorării mecanice. Caracteristicile elementelor semiconductoare de nivel logic și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile digitale. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,18Ω, acest tranzistor oferă o eficiență ridicată în utilizare. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura la poartă de 66nC asigură o performanță optimă în aplicații variate. Cu un curent de drenaj de 11A și o tensiune poartă-sursă de ±10V, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și eficientă. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații.