Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 800V 2.6A 125W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 2.6A 125W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 2.6A 125W TO263

IRFBE30SPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; 125W; D2PAK,TO263
27,59 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o putere disipată de 125W. Acest tranzistor are un curent de drenaj de 2,6A și o rezistență în timpul funcționării de 3Ω, fiind ideal pentru aplicații care necesită o performanță excelentă. Carcasa D2PAK și TO263 asigură o montare ușoară, iar polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o gamă variată de aplicații. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 78nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor N-MOSFET este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o comutare rapidă și precisă.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRFBE30SPBF
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
TO263
Polarizare unipolar
Curent drenă 2,6A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 78nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: