Categorii
Tranzistor N-MOSFET 650V 4A 80W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 650V 4A 80W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 650V 4A 80W TO263

IXTA4N65X2
Tranzistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
18,38 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET X2-Class unipolar 650V 4A 80W TO263 este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Tranzistorul este ambalat într-un tub și poate fi montat cu ușurință pe o placă de circuit imprimat folosind tehnologia SMD. Carcasa TO263 asigură o dispersie eficientă a căldurii, permițând tranzistorului să disipeze până la 80W de putere.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la 4A și o tensiune drenaj-sursă de 650V. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența în timpul funcționării de 0,85Ω îl fac potrivit pentru aplicații exigente.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 8,3nC asigură o comutare rapidă și eficientă. Tranzistorul este un N-MOSFET cu un timp de restabilire de 160ns și folosește tehnologia X2-Class, oferind o fiabilitate superioară și performanțe excelente pe termen lung.
Detalii ale produsului
10 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTA4N65X2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 80W
Montare SMD
Carcasă TO263
Polarizare unipolar
Curent drenă 4A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,85Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 8,3nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 160ns
Tehnologie X2-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: