Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 100V 130A 360W TO263 este un element semiconductoare de putere de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor oferă o putere disipată impresionantă de 360W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o performanță ridicată.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 10,1mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență maximă și o disipare minimă a căldurii. Subtipul ambalajului TO263 și montarea SMD îl fac ușor de integrat într-o varietate de designuri de circuite.
Caracteristicile sale de elemente semiconductoare thrench gate power mosfet îl fac ideal pentru aplicații care necesită o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 100V. Cu un curent de drenaj de 130A și o încărcătură de poartă de 130nC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un pachet compact și fiabil.
Indiferent de subtipul canalului sau tipul tranzistorului necesar, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 100V 130A 360W TO263 este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere și control electronic. Alegeți performanța și fiabilitatea cu acest tranzistor de înaltă calitate de la IXYS.