Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și o putere disipată de 180W, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de proiecte. Montarea sa SMD și carcasa DPAK îl fac ușor de integrat în designul dvs. electronic.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,25Ω și un curent drenă de 14A, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și eficiente. Subtipul canal îmbogățit și polarizarea unipolară îl fac ideal pentru aplicații specifice. De asemenea, tensiunea poartă-sursă de ±30V și curentul de drenă în impuls de 18A îl fac versatil și potrivit pentru o gamă largă de utilizări.
Cu o încărcătură poartă de 16,7nC și tipul de tranzistor N-MOSFET, acest produs este o alegere excelentă pentru proiectele dvs. electronice. IXYS este un producător de renume în industria electronică, iar acest tranzistor este un exemplu perfect al calității și performanței pe care le putem aștepta de la ei.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTY14N60X2 |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
180W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
DPAK |
Curent de drenă în impuls |
18A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
14A |
Tensiune drenă-sursă |
600V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,25Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
16,7nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |