Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 75W

G3R350MT12J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
39,35 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 16A 75W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acesta este ambalat într-un tub de tip SMD, cu montare în carcasă TO263-7. Puterea disipată este de 75W, iar elementele semiconductoare beneficiază de terminal Kelvin pentru performanțe superioare.

Cu un curent de drenă în impuls de 16A și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă un curent de drenă de 8A și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV. Tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 15V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,35Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 12nC.

Acest tranzistor N-MOSFET beneficiază de tehnologia avansată SiC și tehnologia G3R™, care îl fac ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Cu GeneSiC SEMICONDUCTOR ca producător, puteți avea încredere în calitatea și durabilitatea acestui tranzistor de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
746 Produse

Fisa tehnica

Referință G3R350MT12J
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 75W
Montare SMD
Carcasă TO263-7
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 16A
Polarizare unipolar
Curent drenă 8A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,35Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 12nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G3R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: