Categorii
N-MOSFET SiC 1.7kV 4A 54W TO263-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.7kV 4A 54W TO263-7 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1.7kV 4A 54W TO263-7

G2R1000MT17J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
53,01 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 4A Idm: 8A 54W TO263-7 de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un ambalaj de tip tub și se montează cu tehnologia SMD. Carcasa TO263-7 oferă o putere de disipare de 54W, iar caracteristicile elementelor semiconductoare includ terminalul Kelvin. Cu un curent de drenaj în impuls de 8A, acest tranzistor este polarizat unipolar și suportă un curent de drenaj de 4A. Tensiunea drenaj-sursă este de 1,7kV, iar tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 20V. Rezistența în timpul funcționării este de 1Ω, iar subtipul canalului este îmbogățit. Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia SiC și tehnologia G2R™ pentru performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră.
Detalii ale produsului
311 Produse

Fisa tehnica

Referință G2R1000MT17J
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 54W
Montare SMD
Carcasă TO263-7
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 8A
Polarizare unipolar
Curent drenă 4A
Tensiune drenă-sursă 1,7kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G2R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: