N-MOSFET SiC Unipolar 1.7kV 6A 91W

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 6A Idm: 16A 91W, produs de GeneSiC SEMICONDUCTOR, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 91W. Acest tranzistor se remarcă prin montarea sa de tip SMD într-un ambalaj tub TO263-7, facilitând integrarea sa în diverse dispozitive electronice.

Cu caracteristici de elemente semiconductoare de ultimă generație și o rezistență în timpul funcționării de 0,45Ω, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de lucru exigente. Polarizarea sa unipolară și subtipul canal îmbogățit asigură o funcționare stabilă și fiabilă.

Tehnologia avansată SiC și G3R™ oferă o eficiență sporită și o durată de viață lungă a tranzistorului. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 1,7kV și un curent de drenaj de 6A, acest N-MOSFET poate gestiona sarcini de până la 16A în impulsuri.

Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5 și 15V și încărcătura poartă de 18nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații diverse, de la surse de alimentare la invertorii de putere. Fiabil, performant și eficient, tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este alegerea ideală pentru proiectele electronice de înaltă tehnologie.