Memorie SRAM 4Mb 5V 10ns SOJ36

Circuitul integrat de memorie SRAM 4MbSRAM 512kx8bit 5V 10ns SOJ36 paralel de la ISSI este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită o memorie rapidă și fiabilă. Cu o temperatură de lucru extinsă de la -40 până la 85°C, acest circuit integrat poate fi utilizat într-o varietate de medii de operare. Montarea în format SMD și carcasa SOJ36 asigură o integrare simplă și compactă în designul dvs. electronic.

Având o tensiune de lucru de 5V, acest circuit integrat de memorie oferă o performanță constantă și eficientă. Cu o capacitate de memorie de 4MB SRAM și o organizare de 512kx8bit, acesta este ideal pentru aplicații care necesită stocare de date rapidă și accesibilă. Interfața de comunicare paralelă asigură transferuri de date rapide și fiabile între circuitul integrat și alte componente ale sistemului dvs.

Cu un timp de acces rapid de 10ns, acest circuit integrat de memorie SRAM oferă performanță optimă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de viteză. Indiferent dacă lucrați la proiecte de electronică industrială sau de consum, acest circuit integrat de la ISSI este alegerea ideală pentru nevoile dvs. de stocare și acces la date.