Categorii
  • Stoc epuizat
Memorie SRAM 8Mb 512kx16bit 2.7-5V 55ns TSOP44 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Memorie SRAM 8Mb 512kx16bit 2.7-5V 55ns TSOP44 II | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Memorie SRAM 8Mb 512kx16bit 2.7-5V 55ns TSOP44 II

AS6C8016-55ZIN
IC: memorie SRAM; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2,7÷5V; 55ns; TSOP44 II
62,44 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
IC: memorie SRAM 8MbSRAM 512kx16bit 2,7÷5V 55ns TSOP44 II de la ALLIANCE MEMORY este un circuit integrat de memorie SRAM de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele complexe ale aplicațiilor electronice moderne. Cu o tensiune de lucru cuprinsă între 2,7 și 5V, acesta asigură o funcționare fiabilă și eficientă într-o gamă variată de medii de lucru. Carcasa TSOP44 II asigură o montare simplă și sigură pe plăcile de circuit imprimate.

Memoria de 8MB SRAM oferă o capacitate generoasă de stocare, cu o organizare de 512kx16bit pentru a gestiona eficient datele. Tipul de circuit integrat, memoria SRAM, este ideal pentru aplicațiile care necesită acces rapid și fiabil la informații. Interfața paralelă permite transferuri de date rapide și eficiente.

Cu caracteristici avansate precum LPC și un timp de acces de 55ns, IC-ul de memorie SRAM de la ALLIANCE MEMORY este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o performanță de vârf și o fiabilitate superioară. Alegeți acest produs pentru a vă asigura că aplicațiile dvs. electronice funcționează la capacitate maximă, fără compromisuri.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință AS6C8016-55ZIN
Producător ALLIANCE MEMORY
Tensiune de lucru 2,7...5V
Montare SMD
Carcasă TSOP44 II
memorie 8MB SRAM
Tip circuit integrat memorie SRAM
Subtip memorie SRAM
asincronă
Lăţime circuit 400mils
Organizare memorie 512kx16bit
Tip interfaţă paralel
Caracteristici circuite integrate LPC
Timp de acces 55ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
7 produse asociate: