Categorii
Etichete
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0,68A; 0,9W; SuperSOT-6
  • Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0,68A; 0,9W; SuperSOT-6
  • Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0,68A; 0,9W; SuperSOT-6

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDC6303N 25V 0,68A SuperSOT-6 x2

FDC6303N
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0,68A; 0,9W; SuperSOT-6
4,26 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDC6303N 25V 0,68A SuperSOT-6 x2 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor beneficiază de tehnologia PowerTrench® și dispune de un design compact în carcasă SuperSOT-6, potrivit pentru montare SMD.


  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 0,9W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SuperSOT-6

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 0,68A

  • Tensiune drenă-sursă: 25V

  • Tensiune poartă-sursă: ±8V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,8Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 2,3nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET x2

  • Tehnologie: PowerTrench®


Acest tranzistor este optim pentru circuite de putere redusă, oferind stabilitate și performanță superioară în aplicații industriale și electronice de consum.
Detalii ale produsului
3000 Produse

Fisa tehnica

Referință FDC6303N
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 0,9W
Montare SMD
Carcasă SuperSOT-6
Polarizare unipolar
Curent drenă 0,68A
Tensiune drenă-sursă 25V
Tensiune poartă-sursă ±8V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,8Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 2,3nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie PowerTrench®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: