Categorii
  • Nou
Tranzistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3,5/-2,3A; 2W; SO8
  • Tranzistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3,5/-2,3A; 2W; SO8
  • Tranzistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3,5/-2,3A; 2W; SO8

Tranzistor MOSFET INFINEON IRF7105TRPBF 25V 3.5A SO8 N/P-Channel

IRF7105TRPBF
Tranzistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3,5/-2,3A; 2W; SO8
4,80 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor MOSFET INFINEON IRF7105TRPBF 25V 3.5A SO8 N/P-Channel este un component semiconductor de înaltă performanță, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, ideal pentru aplicații electronice ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Acest tranzistor N/P-MOSFET utilizează tehnologia HEXFET® și dispune de o carcasă compactă SO8, potrivită pentru montare SMD, facilitând integrarea în circuite moderne.




  • Producător: INFINEON TECHNOLOGIES

  • Subtip ambalaj: rolă

  • Putere disipată: 2W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SO8

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 3,5A (maxim), -2,3A (negativ)

  • Tensiune drenă-sursă: 25V / -25V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,1Ω / 0,25Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: N/P-MOSFET

  • Tehnologie: HEXFET®



Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații ce necesită control precis al puterii și eficiență energetică, fiind o alegere excelentă pentru circuite de comutare, amplificatoare și alte dispozitive electronice moderne.

Detalii ale produsului
4000 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF7105TRPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj rolă
Putere disipată 2W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,5/-2,3A
Tensiune drenă-sursă 25/-25V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,1/0,25Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N/P-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
8 produse asociate: