Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 75A Dubli în Serie FMM75-01F | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 75A Dubli în Serie FMM75-01F | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 75A Dubli în Serie FMM75-01F | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 75A Dubli în Serie FMM75-01F

FMM75-01F
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 75A; dubli în serie
166,69 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

51.78 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS FMM75-01F este un N-MOSFET dublu în serie, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile dvs. electronice. Cu o curent de drenaj de 75A și o tensiune de 100V, acest tranzistor unipolar este potrivit pentru o varietate de aplicații de putere. Tehnologia HiPerFET™ și structura semiconductorului dublă în serie asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024a oferă un montaj facil prin tehnologia THT, iar subtipul ambalajului în tub este convenabil pentru utilizare.

Polarizarea unipolară a tranzistorului asigură o comutare rapidă și precisă, iar tensiunea drenaj-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o gamă largă de aplicații. Rezistența redusă în timpul funcționării de 25Ω și subtipul canalului îmbogățit contribuie la eficiența și performanța tranzistorului. Cu o încărcătură a porții de 180nC și un timp de restabilire de 300ns, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită comutare rapidă și precisă. Alegeți tranzistorul IXYS FMM75-01F pentru performanțe de vârf și fiabilitate în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
25 Produse

Fisa tehnica

Referință FMM75-01F
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Montare THT
Carcasă ISOPLUS i4-pac™ x024a
Structura semiconductorului dubli în serie
Polarizare unipolar
Curent drenă 75A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 25Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 180nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Timp de restabilire 300ns
Tehnologie HiPerFET™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: