Categorii
Tranzistor N-MOSFET 250V 30A FMM50-025TF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 30A FMM50-025TF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 30A FMM50-025TF | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 30A FMM50-025TF

FMM50-025TF
Tranzistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 250V; 30A; Idm: 130A
160,05 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

50.12 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS FMM50-025TF este un dispozitiv puternic și eficient, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe în aplicațiile electronice. Cu o putere disipată impresionantă de 125W, acest tranzistor N-MOSFET x2 este ideal pentru aplicații care necesită o curent de drenă mare, de până la 30A. Tehnologia Trench și structura semiconductorului dubli în serie asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024a oferă o montare facilă în tehnologia THT și este potrivită pentru utilizare în diverse medii de lucru. Cu o tensiune drenă-sursă de 250V și o rezistență în timpul funcționării de doar 60mΩ, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini grele fără probleme. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar timpul de restabilire rapid de 84ns asigură o funcționare eficientă.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și o încărcătură poartă de 78nC, acest tranzistor IXYS este o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o comutare rapidă și precisă. Cu caracteristici remarcabile precum curentul de drenă în impuls de 130A și un design compact și robust, tranzistorul IXYS FMM50-025TF reprezintă soluția ideală pentru aplicațiile electronice de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
25 Produse

Fisa tehnica

Referință FMM50-025TF
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare THT
Carcasă ISOPLUS i4-pac™ x024a
Structura semiconductorului dubli în serie
Curent de drenă în impuls 130A
Polarizare unipolar
Curent drenă 30A
Tensiune drenă-sursă 250V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 78nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Timp de restabilire 84ns
Tehnologie HiPerFET™
Trench
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: