Descriere
Tranzistorul P-MOSFET x2 unipolar -30V -6,9A 1,6W SO8 de la ONSEMI este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă. Acest tranzistor este montat în SMD și are o carcasă SO8, facilitând integrarea în diverse circuite. Cu o putere disipată de 1,6W, acesta este perfect potrivit pentru aplicații cu cerințe de disipare termică ridicate.
Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 35mΩ, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Tensiunea drenă-sursă de -30V și tensiunea poartă-sursă de ±25V asigură o funcționare stabilă și consistentă în diferite condiții de lucru.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 40nC permite comutarea rapidă a dispozitivului. Acest tranzistor este de tip P-MOSFET x2 și utilizează tehnologia PowerTrench®, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere și control de înaltă performanță. Cu Tranzistorul P-MOSFET x2 unipolar -30V -6,9A 1,6W SO8 de la ONSEMI, veți obține performanță superioară și fiabilitate excelentă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FDS4935BZ |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
bandă
rolă |
Putere disipată |
1,6W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
SO8 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-6,9A |
Tensiune drenă-sursă |
-30V |
Tensiune poartă-sursă |
±25V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
35mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
40nC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET x2 |
Tehnologie |
PowerTrench® |
Fisiere asociate
Descarcari