Categorii
N-MOSFET Tranzistor 60V 3,1A SO8 (2 bucăți) | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 60V 3,1A SO8 (2 bucăți) | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 60V 3,1A SO8 (2 bucăți)

SQ9945BEY-T1_GE3
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3,1A; 4W; SO8
14,81 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar 60V 3,1A 4W SO8 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, adaptat pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor este disponibil într-un pachet convenabil SO8 și poate fi montat cu ușurință pe plăci de circuit imprimate, datorită tehnologiei SMD.

Cu o putere disipată de 4W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de curent de până la 3,1A, la o tensiune drenă-sursă de 60V. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații sensibile la polarizare și tensiune.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 64mΩ, acest tranzistor oferă o performanță excelentă și o fiabilitate ridicată în diverse condiții de funcționare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 8nC asigură o funcționare eficientă și stabilă.

Tranzistorul N-MOSFET x2 de la VISHAY este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Cu toate aceste caracteristici de top, acest tranzistor este alegerea ideală pentru inginerii electronici exigenți.
Detalii ale produsului
1885 Produse

Fisa tehnica

Referință SQ9945BEY-T1-GE3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 4W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,1A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 64mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 8nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: