Categorii
Pereche Tranzistor MOSFET N/P 30V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Pereche Tranzistor MOSFET N/P 30V | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Pereche Tranzistor MOSFET N/P 30V

ZXMC3A17DN8TA
Tranzistor: N/P-MOSFET; unipolar; pereche complementară; 30/-30V
10,81 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N/P-MOSFET unipolar pereche complementară 30/-30V de la DIODES INCORPORATED este un dispozitiv electronic de vârf, proiectat pentru performanțe superioare în aplicațiile dumneavoastră. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj în formă de rolă sau bandă pentru o instalare ușoară și rapidă, iar montarea sa SMD îl face potrivit pentru o gamă variată de aplicații. Carcasa SO8 oferă protecție și durabilitate, asigurând o disipare eficientă a puterii de până la 2,1W.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor N/P-MOSFET oferă un curent de drenă de 4,4A până la -5,4A, o tensiune drenă-sursă de 30V până la -30V și o tensiune poartă-sursă de ±20V. Rezistența sa în timpul funcționării este de 0,05Ω până la 0,07Ω, iar subtipul său de canal este îmbogățit.

Fie că este utilizat în sisteme de alimentare, amplificatoare audio sau alte aplicații electronice, tranzistorul N/P-MOSFET de la DIODES INCORPORATED se remarcă prin performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Alegeți acest tranzistor de înaltă calitate pentru proiectele dumneavoastră electronice și obțineți rezultate remarcabile!
Detalii ale produsului
85 Produse

Fisa tehnica

Referință ZXMC3A17DN8TA
Producător DIODES INCORPORATED
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 2,1W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 4,4/-5,4A
Tensiune drenă-sursă 30/-30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,05/0,07Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N/P-MOSFET
Subtip tranzistor pereche complementară
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: