Categorii
N-MOSFET Tranzistor 60V 4.4A 3.7W SO8 (2 Buc) | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 60V 4.4A 3.7W SO8 (2 Buc) | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 60V 4.4A 3.7W SO8 (2 Buc)

SI4946BEY-T1-GE3
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8
17,47 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar 60V 4,4A 3,7W SO8 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, potrivit pentru multiple aplicații electronice. Acest tranzistor are un subtip de ambalaj în rolă și bandă, fiind ușor de montat datorită tipului SMD. Cu o putere disipată de 3,7W, acesta este ideal pentru disiparea căldurii în mod eficient. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 4,4A îl fac potrivit pentru diverse proiecte. Tensiunea drenaj-sursă de 60V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și sigură. Rezistența în timpul funcționării de 52mΩ și subtipul canal îmbogățit îl fac o alegere excelentă pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță. Cu o încărcătură de poartă de 25nC, acest tranzistor este ideal pentru proiectele tale electronice. Tipul de tranzistor N-MOSFET x2 îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, de la surse de alimentare până la amplificatoare audio. Optează pentru tranzistorul VISHAY pentru performanță și fiabilitate garantate.
Detalii ale produsului
610 Produse

Fisa tehnica

Referință SI4946BEY-T1-GE3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 3,7W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 4,4A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 52mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 25nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: