Descriere
Tranzistorul P-MOSFET x2 unipolar -20V -6A 1,6W SO8 de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, precum montare SMD pentru o integrare ușoară, carcasă SO8 pentru o disipare eficientă a căldurii și o putere disipată de 1,6W pentru performanțe fiabile.
Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o curent drenă puternică de -6A și o tensiune drenă-sursă de -20V, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. Tensiunea poartă-sursă de ±8V permite un control precis al dispozitivului, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 48mΩ îmbunătățește eficiența energetică.
Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 31nC, acest tranzistor P-MOSFET x2 este ideal pentru aplicații de putere. Tehnologia PowerTrench® asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor este o alegere excelentă pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FDS6875 |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
bandă
rolă |
Putere disipată |
1,6W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
SO8 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-6A |
Tensiune drenă-sursă |
-20V |
Tensiune poartă-sursă |
±8V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
48mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
31nC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET x2 |
Tehnologie |
PowerTrench® |
Fisiere asociate
Descarcari