Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor P-MOSFET -20V -6A SO8 (2 buc.) | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -20V -6A SO8 (2 buc.) | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -20V -6A SO8 (2 buc.)

FDS6875
Tranzistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 1,6W; SO8
10,29 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET x2 unipolar -20V -6A 1,6W SO8 de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, precum montare SMD pentru o integrare ușoară, carcasă SO8 pentru o disipare eficientă a căldurii și o putere disipată de 1,6W pentru performanțe fiabile.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o curent drenă puternică de -6A și o tensiune drenă-sursă de -20V, asigurând o funcționare stabilă și eficientă. Tensiunea poartă-sursă de ±8V permite un control precis al dispozitivului, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 48mΩ îmbunătățește eficiența energetică.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 31nC, acest tranzistor P-MOSFET x2 este ideal pentru aplicații de putere. Tehnologia PowerTrench® asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor este o alegere excelentă pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință FDS6875
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 1,6W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă -6A
Tensiune drenă-sursă -20V
Tensiune poartă-sursă ±8V
Rezistenţă în timpul funcţionării 48mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 31nC
Tip tranzistor P-MOSFET x2
Tehnologie PowerTrench®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: