Categorii
N-MOSFET Tranzistor 30V 60A PQFN8 x2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 30V 60A PQFN8 x2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 30V 60A PQFN8 x2

FDMS3660S
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2,2/2,5W; PQFN8
15,71 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar 30/30V 30/60A 2,2/2,5W PQFN8 de la ONSEMI este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită o performanță de înaltă calitate. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj în formă de rolă sau bandă, fiind ușor de montat datorită tehnologiei SMD. Carcasa PQFN8 oferă o protecție optimă împotriva factorilor externi și asigură o disipare eficientă a căldurii, având o putere disipată de 2,2/2,5W.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate suporta un curent de drenaj de 30/60A și o tensiune drenaj-sursă de 30/30V. Tensiunea poartă-sursă de ±20/±12V permite o funcționare stabilă și fiabilă a dispozitivului. Rezistența în timpul funcționării de 11/2,6mΩ asigură o eficiență ridicată a tranzistorului.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 29/87nC contribuie la o comutare rapidă și precisă a semnalului. Acest tranzistor N-MOSFET x2 este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită performanțe superioare.
Detalii ale produsului
2598 Produse

Fisa tehnica

Referință FDMS3660S
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 2,2/2,5W
Montare SMD
Carcasă PQFN8
Polarizare unipolar
Curent drenă 30/60A
Tensiune drenă-sursă 30/30V
Tensiune poartă-sursă ±20/±12V
Rezistenţă în timpul funcţionării 11/2,6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 29/87nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: