Categorii
Tranzistor P-MOSFET 15V 0.53A SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 15V 0.53A SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 15V 0.53A SO8

TPS1120D
Tranzistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0,53A; Idm: 7A; SO8
20,88 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET x2 unipolar -15V -0,53A Idm: 7A SO8 de la TEXAS INSTRUMENTS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice.

Acest tranzistor are următoarele caracteristici cheie:
- Producător: TEXAS INSTRUMENTS
- Subtip ambalaj: tub
- Montare: SMD
- Carcasă: SO8
- Caracteristici elemente semiconductoare: poartă protejată ESD
- Curent de drenă în impuls: 7A
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: -530mA
- Tensiune drenă-sursă: -15V
- Tensiune poartă-sursă: ±15V
- Rezistență în timpul funcționării: 0,18Ω
- Subtip canal: îmbogățit
- Încărcătură poartă: 5,45nC
- Tip tranzistor: P-MOSFET x2

Cu o utilizare atentă și conformă cu specificațiile, acest tranzistor vă va oferi fiabilitate și performanță de înaltă calitate în proiectele dumneavoastră electronice. Optați pentru Tranzistorul P-MOSFET x2 unipolar -15V -0,53A Idm: 7A SO8 de la TEXAS INSTRUMENTS pentru rezultate remarcabile și durabile.
Detalii ale produsului
75 Produse

Fisa tehnica

Referință TPS1120D
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj tub
Montare SMD
Carcasă SO8
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 7A
Polarizare unipolar
Curent drenă -530mA
Tensiune drenă-sursă -15V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,18Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 5,45nC
Tip tranzistor P-MOSFET x2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
8 produse asociate: