Descriere
Tranzistorul IGBT GenX4™ 650V 80A 625W TO247-3, IXXH80N65B4H1 de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită un tranzistor puternic și eficient. Acesta se remarcă prin tehnologia sa XPT™ care îi conferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Cu o putere disipată de 625W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 80A, iar timpul de activare de doar 123ns îl face ideal pentru aplicații care necesită comutare rapidă. Tensiunea colector-emițător de 650V și tensiunea port-emitor de ±20V asigură o protecție eficientă împotriva supratensiunilor.
Carcasa TO247-3 permite o montare ușoară și sigură, iar subtipul de ambalaj tub oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Cu un curent de colector pulsat de 430A și o încărcătură de poartă de 0.12µC, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un pachet compact.
Datorită timpului de dezactivare de 147ns, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații sensibile la timpi de răspuns rapizi. În concluzie, tranzistorul IGBT GenX4™ 650V 80A 625W TO247-3, IXXH80N65B4H1 de la IXYS reprezintă alegerea ideală pentru cei care caută performanță și fiabilitate în același timp.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXXH80N65B4H1 |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
625W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247-3 |
Curent de colector pulsat |
430A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
80A |
Timp activare |
123ns |
Tensiune colector-emiţător |
650V |
Încărcătură poartă |
0.12µC |
Tip tranzistor |
IGBT |
Timp dezactivare |
147ns |
Tehnologie |
XPT™ |
Fisiere asociate
Descarcari