Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 55A 625W TO264, IXBK55N300 este un produs de înaltă performanță destinat aplicațiilor electronice exigente. Fabricat de către producătorul de renume IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montare THT și carcasă TO264, oferind o soluție fiabilă și durabilă pentru diverse aplicații. Tehnologia BiMOSFET™ integrată în acest tranzistor garantează o funcționare eficientă și performanțe deosebite.
Caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de putere și fiabilitate. Cu o putere disipată de 625W și un curent de colector de 55A, acest tranzistor poate gestiona sarcini intense cu ușurință. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și tensiunea colector-emițător de 3kV asigură o protecție optimă împotriva supratensiunilor și scurtcircuitelor.
Timpul de activare de 637ns și timpul de dezactivare de 475ns contribuie la o comutare rapidă și precisă a tranzistorului, facilitând integrarea acestuia în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Încărcătura poartă de 335nC și curentul de colector pulsat de 600A completează specificațiile impresionante ale acestui tranzistor IGBT de înaltă performanță. Alegeți tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 55A 625W TO264 pentru aplicațiile dumneavoastră electronice care necesită fiabilitate și performanță superioară.