Categorii
IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT Tranzistor 3kV 55A 625W TO264

IXBK55N300
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
671,48 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

178.24 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 55A 625W TO264, IXBK55N300 este un produs de înaltă performanță destinat aplicațiilor electronice exigente. Fabricat de către producătorul de renume IXYS, acest tranzistor se remarcă prin montare THT și carcasă TO264, oferind o soluție fiabilă și durabilă pentru diverse aplicații. Tehnologia BiMOSFET™ integrată în acest tranzistor garantează o funcționare eficientă și performanțe deosebite.

Caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de putere și fiabilitate. Cu o putere disipată de 625W și un curent de colector de 55A, acest tranzistor poate gestiona sarcini intense cu ușurință. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și tensiunea colector-emițător de 3kV asigură o protecție optimă împotriva supratensiunilor și scurtcircuitelor.

Timpul de activare de 637ns și timpul de dezactivare de 475ns contribuie la o comutare rapidă și precisă a tranzistorului, facilitând integrarea acestuia în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Încărcătura poartă de 335nC și curentul de colector pulsat de 600A completează specificațiile impresionante ale acestui tranzistor IGBT de înaltă performanță. Alegeți tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 55A 625W TO264 pentru aplicațiile dumneavoastră electronice care necesită fiabilitate și performanță superioară.
Detalii ale produsului
25 Produse

Fisa tehnica

Referință IXBK55N300
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 625W
Montare THT
Carcasă TO264
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 600A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 55A
Timp activare 637ns
Tensiune colector-emiţător 3kV
Încărcătură poartă 335nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 475ns
Tehnologie BiMOSFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
5 produse asociate: