Descriere
Tranzistorul IXYS IXBF42N300 este un dispozitiv semiconductiv de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ oferă o tensiune de colector-emițător de 3kV și un curent de colector de 24A, ceea ce îl face potrivit pentru utilizare în medii industriale exigente.
Carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024c asigură o montare simplă în tehnologia THT și oferă o protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Cu caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă și o putere disipată de 240W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.
Timpul de activare rapid de 652ns și timpul de dezactivare de 950ns permit o comutare eficientă între stările de conducție și blocare, ceea ce contribuie la o performanță optimă a sistemului. Tensiunea poartă-emițător de ±20V și încărcătura de poartă de 200nC fac din acest tranzistor un element esențial pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de semnal.
Cu Tranzistorul IGBT BiMOSFET™ IXYS IXBF42N300, puteți conta pe performanță de încredere și eficiență în aplicațiile dvs. industriale sau comerciale.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXBF42N300 |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
240W |
Montare |
THT |
Carcasă |
ISOPLUS i4-pac™ x024c |
Caracteristici elemente semiconductoare |
de tensiune înaltă |
Curent de colector pulsat |
380A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
24A |
Timp activare |
652ns |
Tensiune colector-emiţător |
3kV |
Încărcătură poartă |
200nC |
Tip tranzistor |
IGBT |
Timp dezactivare |
950ns |
Tehnologie |
BiMOSFET™ |
Fisiere asociate
Descarcari