Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 24A 240W ISOPLUS i4-pac IXBF42N300 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 24A 240W ISOPLUS i4-pac IXBF42N300 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 24A 240W ISOPLUS i4-pac IXBF42N300 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 24A 240W ISOPLUS i4-pac IXBF42N300

IXBF42N300
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
577,69 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

154.74 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IXBF42N300 este un dispozitiv semiconductiv de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ oferă o tensiune de colector-emițător de 3kV și un curent de colector de 24A, ceea ce îl face potrivit pentru utilizare în medii industriale exigente.

Carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024c asigură o montare simplă în tehnologia THT și oferă o protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Cu caracteristicile elementelor semiconductoare de tensiune înaltă și o putere disipată de 240W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.

Timpul de activare rapid de 652ns și timpul de dezactivare de 950ns permit o comutare eficientă între stările de conducție și blocare, ceea ce contribuie la o performanță optimă a sistemului. Tensiunea poartă-emițător de ±20V și încărcătura de poartă de 200nC fac din acest tranzistor un element esențial pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de semnal.

Cu Tranzistorul IGBT BiMOSFET™ IXYS IXBF42N300, puteți conta pe performanță de încredere și eficiență în aplicațiile dvs. industriale sau comerciale.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXBF42N300
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 240W
Montare THT
Carcasă ISOPLUS i4-pac™ x024c
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 380A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 24A
Timp activare 652ns
Tensiune colector-emiţător 3kV
Încărcătură poartă 200nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 950ns
Tehnologie BiMOSFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: