Categorii
  • Nou
Tranzistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
  • Tranzistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
  • Tranzistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN

Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN

GT50JR21
Tranzistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
44,43 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 600V 49A 230W TO3PN este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și electronice ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de TOSHIBA, acest tranzistor dispune de o carcasă robustă TO3PN și este livrat în ambalaj tip tub, facilitând montarea prin tehnologia THT.

Caracteristici principale:

  • Producător: TOSHIBA

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 230W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO3PN

  • Caracteristici elemente semiconductoare: integrated anti-parallel diode

  • Curent de colector pulsat: 100A

  • Tensiunea poartă - emitor: ±25V

  • Curent de colector: 49A

  • Timp activare: 430ns

  • Tensiune colector-emitor: 600V

  • Tip tranzistor: IGBT

  • Timp dezactivare: 720ns



Acest tranzistor IGBT Toshiba GT50JR21 oferă un echilibru optim între performanță și fiabilitate, fiind potrivit pentru circuite de putere, invertoare și alte aplicații ce necesită control precis al curentului și tensiunii.
Detalii ale produsului
196 Produse

Fisa tehnica

Referință GT50JR21
Producător TOSHIBA
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 230W
Montare THT
Carcasă TO3PN
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 100A
Tensiunea poartă - emitor ±25V
Curent de colector 49A
Timp activare 430ns
Tensiune colector-emiţător 600V
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 720ns
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
64 produse asociate: