Categorii
  • Nou
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 16A; 250W; TO247-3
  • Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 16A; 250W; TO247-3
  • Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 16A; 250W; TO247-3

Tranzistor IGBT IXYS 1,7kV 16A 250W TO247-3 BiMOSFET

IXBH16N170
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 16A; 250W; TO247-3
116,73 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

39.26 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IGBT IXYS 1,7kV 16A 250W TO247-3 BiMOSFET reprezintă o soluție performantă, fabricată de IXYS, proiectată pentru aplicații ce necesită disipare termică eficientă și fiabilitate ridicată. Carcasa TO247-3, montată prin tehnologia THT, asigură o gestionare optimă a căldurii cu o putere disipată de 250W. Cu o tensiune colector-emitor de 1,7kV și curent de colector nominal de 16A, dispozitivul suportă pulsuri de curent de până la 120A, garantând robustețe în condiții de operare solicitante. Tehnologia BiMOSFET™ combină avantajele elementelor semiconductoare de înaltă tensiune și tehnologia FRED, optimizând performanțele tranzistorului. Caracteristicile dinamice includ un timp de activare de 220ns și un timp de dezactivare de 940ns, cu o încărcătură a porții de 72nC și o tensiune poartă-emitor de ±20V, oferind răspuns rapid și control precis. Acest tranzistor IGBT în format tub asigură performanțe ridicate și stabilitate în regimuri de lucru exigente.
Detalii ale produsului
298 Produse

Fisa tehnica

Referință IXBH16N170
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 120A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 16A
Timp activare 220ns
Tensiune colector-emiţător 1,7kV
Încărcătură poartă 72nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 940ns
Tehnologie BiMOSFET™
FRED
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.