Categorii
Tranzistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
  • Tranzistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN

Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN ONSEMI

FGA60N65SMD
Tranzistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
50,17 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN ONSEMI este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe de excelență și fiabilitate. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor beneficiază de un design THT (Through-Hole Technology) într-o carcasă robustă TO3PN, garantând o integrare ușoară în diverse proiecte electronice.

Cu o putere disipată de 300W și un curent de colector de 60A, acest tranzistor este perfect pentru utilizări în invertoare, controlere de motor și surse de alimentare de înaltă eficiență. Datorită caracteristicilor sale avansate, inclusiv dioda integrată anti-paralel, acesta asigură o performanță deosebită în condiții de sarcină variabilă.

Tranzistorul IGBT are un curent de colector pulsat de 180A și o tensiune colector-emiţător de 650V, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită gestionarea unor tensiuni și curenți mari. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și încărcătura poartă de 284nC contribuie la un control precis și rapid al comutării, oferind eficiență maximă în funcționare.

Alege Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN ONSEMI pentru soluții fiabile și performante în domeniul electronicii de putere!
Detalii ale produsului
322 Produse

Fisa tehnica

Referință FGA60N65SMD
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă TO3PN
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 180A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 60A
Tensiune colector-emiţător 650V
Încărcătură poartă 284nC
Tip tranzistor IGBT
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
65 produse asociate: