Categorii
Tranzistor MOSFET 650V 50A TO-247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor MOSFET 650V 50A TO-247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor MOSFET 650V 50A TO-247

BGH50N65HF1
Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
106,94 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

36.81 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Descoperiți eficiența și performanța superioară a tranzistorului MOSFET 650V 50A TO-247 de la BASiC SEMICONDUCTOR, un component esențial pentru aplicații de putere avansate. Proiectat cu tehnologia de ultimă generație Trench și Field Stop, acest tranzistor oferă o tensiune de colector-emițător de 650V, fiind capabil să suporte un curent de colector de 50A, ideal pentru sisteme de alimentare de înaltă performanță.

Carcasa TO247-3 asigură o montare THT ușor accesibilă, facilitând integrarea în diverse aplicații industriale. Cu o putere disipată de 357W, acest tranzistor optimizează performanța termică, prevenind supraîncălzirea și maximizând fiabilitatea. Dotat cu un curent de colector pulsat impresionant de 200A și o tensiune poartă-emitor de ±20V, acesta se adaptează cu ușurință cerințelor variate ale utilizatorilor.

În plus, tranzistorul include o diodă integrată anti-parallel, sporind eficiența generală a circuitului. Timpul de activare de 54ns și timpul de dezactivare de 256ns asigură răspuns rapid în aplicații de comutare. Cu o încărcătură a porții de 308nC, acest component se dovedește a fi extrem de eficient din punct de vedere energetic.

Alegeți tranzistorul MOSFET 650V 50A TO-247 de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru soluții de putere de încredere, performanță excepțională și tehnologie de vârf.
Detalii ale produsului
58 Produse

Fisa tehnica

Referință BGH50N65HF1
Producător BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 357W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 200A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 50A
Timp activare 54ns
Tensiune colector-emiţător 650V
Încărcătură poartă 308nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 256ns
Tehnologie Field Stop
SiC SBD
Trench
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: