Descoperiți eficiența și performanța superioară a tranzistorului MOSFET 650V 50A TO-247 de la BASiC SEMICONDUCTOR, un component esențial pentru aplicații de putere avansate. Proiectat cu tehnologia de ultimă generație Trench și Field Stop, acest tranzistor oferă o tensiune de colector-emițător de 650V, fiind capabil să suporte un curent de colector de 50A, ideal pentru sisteme de alimentare de înaltă performanță.
Carcasa TO247-3 asigură o montare THT ușor accesibilă, facilitând integrarea în diverse aplicații industriale. Cu o putere disipată de 357W, acest tranzistor optimizează performanța termică, prevenind supraîncălzirea și maximizând fiabilitatea. Dotat cu un curent de colector pulsat impresionant de 200A și o tensiune poartă-emitor de ±20V, acesta se adaptează cu ușurință cerințelor variate ale utilizatorilor.
În plus, tranzistorul include o diodă integrată anti-parallel, sporind eficiența generală a circuitului. Timpul de activare de 54ns și timpul de dezactivare de 256ns asigură răspuns rapid în aplicații de comutare. Cu o încărcătură a porții de 308nC, acest component se dovedește a fi extrem de eficient din punct de vedere energetic.
Alegeți tranzistorul MOSFET 650V 50A TO-247 de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru soluții de putere de încredere, performanță excepțională și tehnologie de vârf.