Categorii
IGBT Tranzistor 1200V 20A 250W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 1200V 20A 250W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 1200V 20A 250W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT Tranzistor 1200V 20A 250W TO247-3

APT13GP120BDQ1G
Tranzistor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3
93,90 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul MICROCHIP (MICROSEMI) IGBT PT 1,2kV 20A 250W TO247-3, APT13GP120BDQ1G este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este montat prin găuri, având o carcasă TO247-3 și un subtip de ambalaj în tub. Folosind tehnologia PT, acesta vine echipat cu un diod anti-paralel integrat, oferind o putere disipată de 250W și un curent de colector pulsant de 50A.

Tensiunea port-emitor este de ±20V, iar curentul de colector este de 20A. Timpul de activare rapid de 21ns și timpul de dezactivare de 270ns fac din acest tranzistor o alegere fiabilă pentru aplicațiile dumneavoastră. Cu o tensiune colector-emițător de 1.2kV și o încărcătură de poartă de 55nC, acest tranzistor IGBT se remarcă prin performanța sa excelentă și durabilitatea sa. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate pentru proiectele dumneavoastră electronice!
Detalii ale produsului
78 Produse

Fisa tehnica

Referință APT13GP120BDQ1G
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 50A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 20A
Timp activare 21ns
Tensiune colector-emiţător 1,2kV
1.2kV
Încărcătură poartă 55nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 270ns
Tehnologie POWER MOS 7®
PT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: