Categorii
IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT Tranzistor 1,2kV 33A 417W TO247-3

APT25GP120BG
Tranzistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3
130,64 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

42.75 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IGBT PT 1,2kV 33A 417W TO247-3, APT25GP120BG de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor are o montare THT și se încadrează în carcasă TO247-3, fiind ambalat într-un tub pentru protecție suplimentară.

Cu o tehnologie avansată de tip PT, tranzistorul poate disipa o putere de până la 417W și suportă un curent de colector pulsat de 90A. Tensiunea poartă - emitor este de ±20V, iar curentul de colector este de 33A. Timpul de activare este de doar 26ns, iar tensiunea colector-emițător este de 1.2kV. Încărcătura poartă este de 110nC, asigurând un control precis al dispozitivului.

Cu un timp de dezactivare de 197ns, acest tranzistor IGBT este perfect pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă. Fiabilitatea și performanța excelentă fac din acest produs alegerea ideală pentru proiectele electronice complexe.
Detalii ale produsului
32 Produse

Fisa tehnica

Referință APT25GP120BG
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 417W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de colector pulsat 90A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 33A
Timp activare 26ns
Tensiune colector-emiţător 1,2kV
1.2kV
Încărcătură poartă 110nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 197ns
Tehnologie POWER MOS 7®
PT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: