Tranzistorul IGBT 650V 50A 714W TO247 de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor este echipat cu o diodă anti-paralelă integrată, asigurând o funcționare eficientă și protejând circuitul împotriva supratensiunilor.
Cu o putere disipată de 714W, acest tranzistor poate gestiona sarcini grele fără a se supraîncălzi. Cu o tensiune de colector-emitor de 650V și un curent de colector de 50A, acest dispozitiv este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o performanță stabilă.
Timpul de activare rapid de 36ns și timpul de dezactivare de 200ns asigură o funcționare precisă și o comutare eficientă între stări. Încărcătura de poartă de 0,35µC permite o control mai precis al tranzistorului, asigurând o funcționare optimă în diverse aplicații.
Cu un subtip de ambalaj tub și o montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse circuite electronice. Carcasa TO247 oferă o disipare eficientă a căldurii, menținând temperatura tranzistorului la un nivel optim pentru performanțe maxime.
În concluzie, tranzistorul IGBT 650V 50A 714W TO247 de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o putere mare, o comutare rapidă și o fiabilitate ridicată. Acest dispozitiv de înaltă calitate va asigura funcționarea optimă a echipamentului dvs. electronic.